Die kundengebundene spritzende Größe visiert elektrolytisches Kupfer-granuliertes Verdampfungs-Material des Grad-6N an

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: JINXING
Zertifizierung: ISO 9001
Modellnummer: Kupfernes Spritzenziel
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 kg
Preis: 15~100USD/kg
Verpackung Informationen: SPERRHOLZ-FALL
Lieferzeit: 10~25 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000kgs/M

Detailinformationen

Material: Kupferne granulierte 99,9999% Prozess: CIP, HIP Drücken
Größe: Besonders angefertigt Anwendung: PVD-Beschichtung,
Dichte: 8.96g/cm3 Form: Runde, Platte, Rohr-Spritzenziel
Korngröße: Feingröße, gute Dichte Reinheit: 99,999%, 99,9999%
Markieren:

elektrolytische Ziele Spritzens6n

,

Kupferne granulierte Spritzenziele

,

8

Produkt-Beschreibung

Granulierter ultra hoher Reinheitsgrad 99,999%, Material des Kupfers der Verdampfungs-99,9999%

wird elektrolytisches Kupfer der Ultrahochreinheit 6N hauptsächlich in der Produktion des Spritzenziels, des Verdampfungsfilmes und der Anodenmaterialien für integrierte Schaltungen benutzt.

 

Reinheit: 99,999% | 99,9999%

Zur genauen Steuerung des Störstellengehalts, kann AG-Inhalt unterhalb 0.1ppm und s-Inhalts unter 0.02ppm gesteuert werden

 

Der Inhalt von Gaselementen (C, O, N, H) ist kleiner als 1ppm

Hauptgebrauch: Kupfer 6N hat einige Eigenschaften, die Gold, gute Leitfähigkeit, Duktilität, Korrosionsbeständigkeit und Oberflächenleistung und niedrige Erweichungstemperatur ähnlich sind. Als neue Art Material, Kupfer wird verpfändet von hohem Reinheitsgrad nicht nur in der Vorbereitung von analytischen Standardtestmaterialien von hohem Reinheitsgrad, die verschiedenen Verbindungsdrähte für elektronische Industrie benutzt und Drähte für das elektronische Verpacken, hochwertige Audiodrähte und integrierte Schaltungen und spritzt Ziele für Flüssigkristallanzeige und Ionenbeschichtung, aber auch ein unentbehrliches und kostbares Material in der Atomenergie, in der Rakete, in der Rakete, in der Luftfahrt, im Aerospace und in den Hüttenindustrien. Als neues Material ist ultra reines Kupfer mehr und mehr Aufmerksamkeit gezahlt worden. Zusätzlich zur Vorbereitung von analytischen Standardtestmaterialien von hohem Reinheitsgrad, verschiedene Verbindungsdrähte für elektronische Industrie, Verpfändungsdrähte für das elektronische Verpacken, hochwertige Audiodrähte und integrierte Schaltungen, Spritzenziele und Ionenbeschichtung für Flüssigkristallanzeige, hochwertige Audiostromkreise und andere High-Teche Felder, Kupfer wird von hohem Reinheitsgrad auch in der Atomenergie, Raketen, Raketen, Luftfahrt, Raumnavigation benutzt und andere kostbare Materialien der Felder sind in der Hüttenindustrie unentbehrlich. Mit der Entwicklung der hohen und neuen Technologie und der Bedarf von strategischen Materialien, Metalle haben von hohem Reinheitsgrad die höheren und höheren Anforderungen für Reinheit. Die Vorbereitung und die Anwendung von und Ultra-hochreinheitsmetallen von hohem Reinheitsgrad in der moderner Materialwissenschaft und -technik sind neue und wachsende Felder.

 

 

Kupferne granulierte 99,9999%, kupfernes Zylinder-Ziel 99,999% sind in unterschiedlichen Größen verfügbar

Größen: 3x3mm, 6x6mm, 3x6mm usw.

 

Plattenspritzenziele:

 

Stärke: 0,04 bis 1,40“ (1,0 bis 35mm).

Breite bis 20" (50 bis 500mm).

Länge: 3,9" zu 6,56 Fuß (100-2000mm)

andere Größen, wie verlangt.

 

Zylinderspritzenziele:

 

3,94 Durchmesser x 1,58“ (100 Durchmesser x 40mm)

2,56 Durchmesser x 1,58“ (65 Durchmesser x 40mm)

oder 63*32mm andere Größen, wie verlangt.

 

Rohrspritzenziele:

 

2,76 Od x 0,28 GEWICHT x 39,4" L (70 Od x 7 GEWICHT x 1000mm L)

3,46 Od x 0,39 GEWICHT x 48,4" L (88 Od x 10 GEWICHT x 1230mm L)

andere Größen, wie verlangt.

 

Vorteil:

 

 

1. Reinheit: 99,99% | 99,9999%

2. Hohe Dichte, keine Defekte nach innen, sogar Körner und glatte Oberfläche

3. Einzigartiges Schmelzen und werfender Umweltschutzprozeß

4. Es kann den Bedarf der kundengebundenen Legierung erfüllen

5. Einzigartige Homogenisationssteuerungstechnik von addierten Elementen

6. Vereinheitlichte Mikrostruktursteuerung

 

Kupfer des hohen Reinheitsgrades bezieht sich auf Metallkupfer mit einer Reinheit von mehr als 4N. Kupfer des hohen Reinheitsgrades hat einen sehr kleinen Kristallgrenzenbereich, wenige Gitterfehler, einige seiner Eigenschaften ist ähnlich Gold, mit guter Leitfähigkeit, Duktilität, Korrosionsbeständigkeit und Oberflächenleistung, während Erweichungstemperatur verhältnismäßig niedrig ist. Kupfer des hohen Reinheitsgrades hat hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Verarbeitungsleistung bei der niedrigen Temperatur. Kupfer des hohen Reinheitsgrades ist auf integrierter Schaltung, dem elektronischen Verpacken, photo-voltaischer Solarenergietechnologie und anderen Gebieten weitverbreitet. In den letzten Jahren mit der Entwicklung der High-Tech-Industrie, Kupfer ist von hohem Reinheitsgrad weitverbreitet gewesen. Die Vorbereitung Kupfers des von hohem Reinheitsgrad wird normalerweise in zwei Schritte der Reinigung und der Superreinigung unterteilt. Die Vorbereitung Kupfers des von hohem Reinheitsgrad nimmt im Allgemeinen grobes Kupfer als der Rohstoff und entfernt weiter die Verunreinigungen, um Kupfer 5n-7n zu erhalten von hohem Reinheitsgrad. Zur Zeit sind die Hauptmethoden des Vorbereitens des Kupfers des hohen Reinheitsgrades Bereichsraffinierung, Anionenaustausch und elektrolytische Raffination. Die regionale verfeinernde Methode ist eine der Hauptmethoden, zum vorzubereiten Metallen von von hohem Reinheitsgrad. Zur Zeit umfassen die regionalen verfeinernden Methoden Kupfers des von hohem Reinheitsgrad sich hin- und herbewegende regionale verfeinernde Methode und regionale verfeinernde Methode der Entschwefelung

 
Produkt-Name Element Purirty Schmelzpunkt ℃ Dichte (g/cc) Verfügbare Formen
Hoher reiner Splitter AG 4N-5N 961 10,49 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes Reinaluminium Al 4N-6N 660 2,7 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Gold Au 4N-5N 1062 19,32 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Wismut Bi 5N-6N 271,4 9,79 Partikel, Ziel
Hohes reines Kadmium CD 5N-7N 321,1 8,65 Partikel, Ziel
Hohes reines Kobalt Co 4N 1495 8,9 Partikel, Ziel
Hohes reines Chrom Cr 3N-4N 1890 7,2 Partikel, Ziel
Hohes reines Kupfer Cu 3N-6N 1083 8,92 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Eisen- F.E. 3N-4N 1535 7,86 Partikel, Ziel
Hohes reines Germanium GE 5N-6N 937 5,35 Partikel, Ziel
Hohes reines Indium In 5N-6N 157 7,3 Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Magnesium 4N 651 1,74 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Mangan 3N 1244 7,2 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Molybdän MO 4N 2617 10,22 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Niobium Notiz: 4N 2468 8,55 Draht, Ziel
Hohes reines Nickel Ni 3N-5N 1453 8,9 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohe reine Führung Pb 4N-6N 328 11,34 Partikel, Ziel
Hohes reines Palladium PD 3N-4N 1555 12,02 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Platin Pint 3N-4N 1774 21,5 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Silikon Si 5N-7N 1410 2,42 Partikel, Ziel
Hohes reines Zinn Sn 5N-6N 232 7,75 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Tantal Ta 4N 2996 16,6 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Tellur Te 4N-6N 425 6,25 Partikel, Ziel
Hohes reines Titan Ti 4N-5N 1675 4,5 Draht, Partikel, Ziel
Hoher reiner Wolfram W 3N5-4N 3410 19,3 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zink Zn 4N-6N 419 7,14 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zirkonium Zr 4N 1477 6,4 Draht, Blatt, Partikel, Ziel

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