Aluminiumhoher Reinheitsgrad des al-Spritzenziel-99,999% ultra für integrierte Schaltungen

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: JINXING
Zertifizierung: ISO 9001
Modellnummer: Aluminiumspritzenziel
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 kg
Preis: 10~500USD/kg
Verpackung Informationen: SPERRHOLZ-FALL
Lieferzeit: 10~25 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000kgs/M

Detailinformationen

Material: Aluminiumspritzenziel Prozess: CIP, HIP Drücken
Größe: Besonders angefertigt Anwendung: pvd Anstrichsystem
Form: Runde, Platte, Rohr Korngröße: Feingröße, gute Dichte
Reinheit:: 99,95%, 99,99%, 99,999% Dichte: 2.7g/cm3
Markieren:

Aluminium-Al Sputtering Target

,

Spritzenziele für integrierte Schaltungen

,

Ultra hoher Reinheitsgrad-Spritzenziele

Produkt-Beschreibung

Aluminiumhoher Reinheitsgrad 99,999% des spritzenziels (Al)

Material des hohen Reinheitsgrades, Ultrahochreinheitsmaterial, Material des hohen Reinheitsgrades des Halbleiters


Materialwelt stellt Materialien von hohem Reinheitsgrad von 4N zu 7N zur Verfügung: während die Grundmaterialien der Halbleiterindustrie und der elektronischen Industrie, Materialien von hohem Reinheitsgrad auf den verschiedenen industriellen Gebieten, einschließlich Feldlumineszenzabdeckungen, thermoelectronics weitverbreitet sind, liefert die Elektronik, Informationen, Infrarot, Solarzellen, leistungsstarke Legierungen, etc., die matech zaubern, eine vollständige Auswahl von Ultrahochreinheitsmaterialien, um den Bedarf von inländischen und internationalen Kunden zu erfüllen. Wir stellen nicht nur Rohstoffe von hohem Reinheitsgrad zur Verfügung, aber können verschiedene Rohstoffe von hohem Reinheitsgrad für Kunden, wie Ultrahochreinheitsmetallmagnetronspritzenziel auch machen, Solarzellenmagnetronspritzenziel, Solarfilmverdampfungs-Beschichtungsmaterial, elektronischer Walzdraht von hohem Reinheitsgrad, Streifen, Pulver…

 

 

Aluminiumspritzenziel 99,99%, Aluminiumspritzenziel 99,999% sind in unterschiedlichen Größen verfügbar

 

D101.6x3.175mm, D101.6x6.35mm usw.

 

 

Ein anderer wichtiger Gebrauch des Ultrahochreinheitsaluminiums ist als Verdrahtung für integrierte Schaltungen. Die Spurnverunreinigungen des Urans und des Thoriums im Ultrahochreinheitsaluminium sind, weil sie radioaktive Elemente sind, die α Partikel jederzeit freigeben, mit dem Ergebnis des Ausfalls von integrierten Schaltungen und Programmfehler und -verwirrung nur möglich. U + Th < 5ppb="">

sind umfangreiche Ziele der Platte 5N und 5n5 in PDP- und TFT LCD-Flachbildschirmanzeigen und Spritzenziele für Solarzellenbeschichtung weitverbreitet.


Auf dem Gebiet der Supraleitfähigkeit, wird Ultrahochreinheitsaluminium als das stabilisierende Material des supraleitenden Kabels benutzt.

Im Elektronikbereich wird ultrapure Aluminium 5N benutzt, um optoelektronische Speichermedien, wie CD, CD-ROM, CD-RW, Datenscheibe oder Mikroscheibe, silberne Scheibe DVD, etc. herzustellen, in denen ultrapure Aluminiumfilm spritzens 5N als die helle reflektierende Schicht benutzt wird.


Der Störstellengehalt ultra des Reinaluminiums ist sehr klein.

Der niedrige Störstellengehalt macht das ultra Reinaluminium hat einige spezielle Eigenschaften.


Das niedriger der Inhalt von Verunreinigungselementen, das kleiner die Dichte von halbleitenden Verbindungen.


Verwenden Sie als guter Leiter des Stroms


Der Widerstand in der Region der sehr niedrigen Temperatur ist sehr klein


Hohes Reflexionsvermögen zu UV


Entwurfsfreiheitsverbreitung


Es ist gegen Schadgase und Lösungen in hohem Grade beständig

 

Produkt-Name Element Purirty Schmelzpunkt ℃ Dichte (g/cc) Verfügbare Formen
Hoher reiner Splitter AG 4N-5N 961 10,49 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes Reinaluminium Al 4N-6N 660 2,7 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Gold Au 4N-5N 1062 19,32 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Wismut Bi 5N-6N 271,4 9,79 Partikel, Ziel
Hohes reines Kadmium CD 5N-7N 321,1 8,65 Partikel, Ziel
Hohes reines Kobalt Co 4N 1495 8,9 Partikel, Ziel
Hohes reines Chrom Cr 3N-4N 1890 7,2 Partikel, Ziel
Hohes reines Kupfer Cu 3N-6N 1083 8,92 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Eisen- F.E. 3N-4N 1535 7,86 Partikel, Ziel
Hohes reines Germanium GE 5N-6N 937 5,35 Partikel, Ziel
Hohes reines Indium In 5N-6N 157 7,3 Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Magnesium 4N 651 1,74 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Mangan 3N 1244 7,2 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Molybdän MO 4N 2617 10,22 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Niobium Notiz: 4N 2468 8,55 Draht, Ziel
Hohes reines Nickel Ni 3N-5N 1453 8,9 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohe reine Führung Pb 4N-6N 328 11,34 Partikel, Ziel
Hohes reines Palladium PD 3N-4N 1555 12,02 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Platin Pint 3N-4N 1774 21,5 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Silikon Si 5N-7N 1410 2,42 Partikel, Ziel
Hohes reines Zinn Sn 5N-6N 232 7,75 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Tantal Ta 4N 2996 16,6 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Tellur Te 4N-6N 425 6,25 Partikel, Ziel
Hohes reines Titan Ti 4N-5N 1675 4,5 Draht, Partikel, Ziel
Hoher reiner Wolfram W 3N5-4N 3410 19,3 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zink Zn 4N-6N 419 7,14 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zirkonium Zr 4N 1477 6,4 Draht, Blatt, Partikel, Ziel

 

 

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