Titanspritzenziel des hohen Reinheitsgrad-99,5% für Pvd-Anstrichsystem

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: JINXING
Zertifizierung: ISO 9001
Modellnummer: Titanspritzenziel
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 kg
Preis: 20~200USD/kg
Verpackung Informationen: SPERRHOLZ-FALL
Lieferzeit: 10~25 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000kgs/M

Detailinformationen

Material: Titanspritzenziel Prozess: CIP, HIP Drücken
Größe: Besonders angefertigt Anwendung: pvd Anstrichsystem
Form: Runde, Platte, Rohr Korngröße: Feingröße, gute Dichte
Reinheit:: 99,5%, 99。95% Dichte: 4.52g/cm3
Markieren:

Titan-Spritzenziel des hohen Reinheitsgrad-99

,

5%

,

Wolframspritzenziel

Produkt-Beschreibung

Titanspritzenziel 99,5%, 99,95% D100x40mm, D65x6.35mm

Reinheit ist der Hauptleistungsindex des Zielmaterials, weil die Reinheit des Zielmaterials einen großen Einfluss auf die Leistung des Filmes hat.


Hauptleistungsanforderungen des Zielmaterials:


Reinheit ist der Hauptleistungsindex des Zielmaterials, weil die Reinheit des Zielmaterials einen großen Einfluss auf die Leistung des Filmes hat. Jedoch in der praktischen Anwendung, sind die Reinheitsgebote des Ziels nicht die selben. Zum Beispiel mit der schnellen Entwicklung der Mikroelektronikindustrie, ist die Größe des Silizium-Chips von 6", 8" bis 12" entwickelt worden, während die verdrahtende Breite von 0.5um zu 0.25um, 0.18um oder sogar 0.13um verringert worden ist. Vorher können 99,995% der Zielreinheit die Prozessbedingungen von 0.35um IC erfüllen, während die Vorbereitung der Linie 0.18um 99,999% oder sogar 99,9999% der Zielreinheit erfordert.

 

Verunreinigungen im Zielkörper und im Sauerstoff- und Wasserdampf in den Poren sind die Hauptemittenten. Verschiedene Zielmaterialien haben verschiedene Anforderungen für unterschiedlichen Störstellengehalt. Zum Beispiel haben Ziele der Reinaluminium- und Aluminiumlegierung für Halbleiterindustrie verschiedene Anforderungen für Alkalimetallinhalt und Inhalt des radioaktiven Elements.


Um die Porosität im Zielkörper zu verringern und die Eigenschaften von gespritzten Filmen zu verbessern, wird das Ziel normalerweise angefordert um eine hohe Dichte zu haben. Die Dichte des Ziels beeinflußt nicht nur die Spritzenrate, aber beeinflußt auch die elektrischen und optischen Eigenschaften des Filmes. Die Zieldichte das höher ist, ist die Filmleistung das besser. Darüber hinaus kann die Erhöhung der Dichte und der Stärke des Ziels das Ziel der Wärmebelastung im Spritzenprozeß widerstehen besser lassen. Dichte ist auch der Schlüsselleistungsindex des Ziels.


Im Allgemeinen ist das Zielmaterial polykristalline Struktur, und die Korngröße kann von Mikrometer zu Millimeter sein. Für die gleiche Art des Ziels, ist die Spritzenrate des Ziels mit kleiner Korngröße schneller als die des Ziels mit großer Korngröße, während die Stärkeverteilung des Filmes, der durch das Ziel mit kleinem Korngrößeunterschied niedergelegt wird (einheitliche Verteilung) einheitlicher ist.

 

Titanspritzenziel, Titanspritzenziel 99,95%

seien Sie in unterschiedlichen Größen verfügbar

 

D100x40mm, D65x6.35mm usw.

 

Produkt-Name Element Purirty Schmelzpunkt ℃ Dichte (g/cc) Verfügbare Formen
Hoher reiner Splitter AG 4N-5N 961 10,49 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes Reinaluminium Al 4N-6N 660 2,7 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Gold Au 4N-5N 1062 19,32 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Wismut Bi 5N-6N 271,4 9,79 Partikel, Ziel
Hohes reines Kadmium CD 5N-7N 321,1 8,65 Partikel, Ziel
Hohes reines Kobalt Co 4N 1495 8,9 Partikel, Ziel
Hohes reines Chrom Cr 3N-4N 1890 7,2 Partikel, Ziel
Hohes reines Kupfer Cu 3N-6N 1083 8,92 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Eisen- F.E. 3N-4N 1535 7,86 Partikel, Ziel
Hohes reines Germanium GE 5N-6N 937 5,35 Partikel, Ziel
Hohes reines Indium In 5N-6N 157 7,3 Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Magnesium 4N 651 1,74 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Mangan 3N 1244 7,2 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Molybdän MO 4N 2617 10,22 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Niobium Notiz: 4N 2468 8,55 Draht, Ziel
Hohes reines Nickel Ni 3N-5N 1453 8,9 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohe reine Führung Pb 4N-6N 328 11,34 Partikel, Ziel
Hohes reines Palladium PD 3N-4N 1555 12,02 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Platin Pint 3N-4N 1774 21,5 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Silikon Si 5N-7N 1410 2,42 Partikel, Ziel
Hohes reines Zinn Sn 5N-6N 232 7,75 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Tantal Ta 4N 2996 16,6 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Tellur Te 4N-6N 425 6,25 Partikel, Ziel
Hohes reines Titan Ti 4N-5N 1675 4,5 Draht, Partikel, Ziel
Hoher reiner Wolfram W 3N5-4N 3410 19,3 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zink Zn 4N-6N 419 7,14 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zirkonium Zr 4N 1477 6,4 Draht, Blatt, Partikel, Ziel

 

 

Titanspritzenziel des hohen Reinheitsgrad-99,5% für Pvd-Anstrichsystem 0

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