Titan spritzen Ziel-hoher Reinheitsgrad-Feingröße 4,52 G/Cm3

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: JINXING
Zertifizierung: ISO 9001
Modellnummer: hoher Reinheitsgrad Titanspritzenziel
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 kg
Preis: 20~200USD/kg
Verpackung Informationen: SPERRHOLZ-FALL
Lieferzeit: 10~25 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000kgs/M

Detailinformationen

Form: Runde, Platte, Rohr Prozess: CIP, HIP Drücken
Größe: Besonders angefertigt Anwendung: pvd Anstrichsystem
Material: hoher Reinheitsgrad Titanspritzenziel Korngröße: Feingröße, gute Dichte
Reinheit:: 99,95%, 99,99%, 99,999% Dichte: 4.52g/cm3
Markieren:

Feingrößen-Titan spritzen Ziel

,

Hoher Reinheitsgrad-Titanziel

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Produkt-Beschreibung

Hoher Reinheitsgrad Titan-Spritzenziel 99,99%, 99,999%

Material des hohen Reinheitsgrades, Ultrahochreinheitsmaterial, Material des hohen Reinheitsgrades des Halbleiters


Materialwelt stellt Materialien von hohem Reinheitsgrad von 4N zu 7N zur Verfügung: während die Grundmaterialien der Halbleiterindustrie und der elektronischen Industrie, Materialien von hohem Reinheitsgrad auf den verschiedenen industriellen Gebieten, einschließlich Feldlumineszenzabdeckungen, thermoelectronics weitverbreitet sind, liefert die Elektronik, Informationen, Infrarot, Solarzellen, leistungsstarke Legierungen, etc., die matech zaubern, eine vollständige Auswahl von Ultrahochreinheitsmaterialien, um den Bedarf von inländischen und internationalen Kunden zu erfüllen. Wir stellen nicht nur Rohstoffe von hohem Reinheitsgrad zur Verfügung, aber können verschiedene Rohstoffe von hohem Reinheitsgrad für Kunden, wie Ultrahochreinheitsmetallmagnetronspritzenziel auch machen, Solarzellenmagnetronspritzenziel, Solarfilmverdampfungs-Beschichtungsmaterial, elektronischer Walzdraht von hohem Reinheitsgrad, Streifen, Pulver…

 

Magnetronspritzenzielmaterialformverfahren: das materielle Formverfahren wird entsprechend der Produktleistung und den verschiedenen Anforderungen von Kunden vorgewählt. Im allgemeinen wenn der Schmelzpunkt von Materialien niedrig ist, ist es notwendig, das Vakuum zu verwenden, das schmilzt, wirft, schmiedet und, das rollt, um Porosität zu beseitigen. Selbstverständlich ist effektive Wärmebehandlung notwendig, um das einheitliche Kornmaterial weiter zu entwickeln. Materialien mit hochschmelzendem Punkt (oder Materialien mit hoher Zerbrechlichkeit) werden durch das heiße Drücken oder das heiße isostatic Drücken und einiges werden gebildet durch das kalte isostatic Drücken und gesintert dann gebildet. Alle Arten Spritzenzielmaterialien, die von unserer Firma zur Verfügung gestellt werden, haben richtige Technologie, hohe Dichte, einheitliches Korn und lange Nutzungsdauer…

 

Hoher Reinheitsgrad Titan-Spritzenziel 99,99%, hoher Reinheitsgrad Titan-Spritzenziel 99,999%

seien Sie in unterschiedlichen Größen verfügbar

 

D100x40mm, D101.6x6.35mm usw.

 

Produkt-Name Element Purirty Schmelzpunkt ℃ Dichte (g/cc) Verfügbare Formen
Hoher reiner Splitter AG 4N-5N 961 10,49 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes Reinaluminium Al 4N-6N 660 2,7 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Gold Au 4N-5N 1062 19,32 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Wismut Bi 5N-6N 271,4 9,79 Partikel, Ziel
Hohes reines Kadmium CD 5N-7N 321,1 8,65 Partikel, Ziel
Hohes reines Kobalt Co 4N 1495 8,9 Partikel, Ziel
Hohes reines Chrom Cr 3N-4N 1890 7,2 Partikel, Ziel
Hohes reines Kupfer Cu 3N-6N 1083 8,92 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Eisen- F.E. 3N-4N 1535 7,86 Partikel, Ziel
Hohes reines Germanium GE 5N-6N 937 5,35 Partikel, Ziel
Hohes reines Indium In 5N-6N 157 7,3 Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Magnesium 4N 651 1,74 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Magnesium Mangan 3N 1244 7,2 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Molybdän MO 4N 2617 10,22 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Niobium Notiz: 4N 2468 8,55 Draht, Ziel
Hohes reines Nickel Ni 3N-5N 1453 8,9 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohe reine Führung Pb 4N-6N 328 11,34 Partikel, Ziel
Hohes reines Palladium PD 3N-4N 1555 12,02 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Platin Pint 3N-4N 1774 21,5 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Silikon Si 5N-7N 1410 2,42 Partikel, Ziel
Hohes reines Zinn Sn 5N-6N 232 7,75 Draht, Partikel, Ziel
Hohes reines Tantal Ta 4N 2996 16,6 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Tellur Te 4N-6N 425 6,25 Partikel, Ziel
Hohes reines Titan Ti 4N-5N 1675 4,5 Draht, Partikel, Ziel
Hoher reiner Wolfram W 3N5-4N 3410 19,3 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zink Zn 4N-6N 419 7,14 Draht, Blatt, Partikel, Ziel
Hohes reines Zirkonium Zr 4N 1477 6,4 Draht, Blatt, Partikel, Ziel

 

 

Titan spritzen Ziel-hoher Reinheitsgrad-Feingröße 4,52 G/Cm3 0

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