
Hochreine Molybdänscheiben Mo-Ziele
Produktdetails:
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Herkunftsort: | China |
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Markenname: | JINXING |
Zertifizierung: | ISO 9001 |
Modellnummer: | Ion Implanting Molybdenum Products |
Zahlung und Versand AGB:
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Min Bestellmenge: | 15 KILOGRAMM |
Preis: | verhandelbar |
Verpackung Informationen: | Sperrholzkisten |
Lieferzeit: | 15-20 Tage |
Zahlungsbedingungen: | L/C, T/T, D/P, Western Union |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 2000 Kilogramm pro Monat |
Detailinformationen |
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Produktname: | Ion Implanting Molybdenum Products | Grad: | Mo1 |
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Dichte: | 10,2 G/cm3 | Reinheit: | >=99.95% |
Dehnfestigkeit: | >MPa 320 | Verlängerung: | <21> |
Standard: | ASTM B387-2010 | Anwendung: | Halbleiterindustrie |
Hervorheben: | Ion Implanting Molybdenum Products,99,95% Molybdän-Produkte |
Produkt-Beschreibung
Ion Implanting Molybdenum Products sind eine Ionenstrahlntechnologie, die die Atome eines Elements in Ionen ionisiert, sie an einer Spannung von zehn zu den Hunderten von KV beschleunigt, und sie in die Oberfläche des Werkstückmaterials gelegt in Vakuumzielkammer einspritzt, nachdem es hohe Geschwindigkeit erhalten hat.
Nach Ionenimplantation ändern die Systemtest-, chemischen und mechanischeneigenschaften der Oberfläche des Materials erheblich. Die ununterbrochene Verschleißfestigkeit der Metalloberfläche kann 2 erreichen | 3 Größenordnungen der Anfangseinpflanzungstiefe.
SPEZIFIKATION U. CHEMISCHE ZUSAMMENSETZUNGEN (NOMINALS)
Material | Art | Chemische Zusammensetzung (nach Gew.) |
Reines Moly | Mo1 | >99.95%min. MO |
Legierung Ti-Zr-MO | TZM | Zr 0,5% Ti-/0,08%/0,01 - 0,04% C |
MO-HF-c | MHC | 1,2% HF/0,05 - 0,12% C |
Moly-Rhenium | Mehr | 5,0% Re |
Moly-Wolfram | MoW20 | 20,0% W |
Moly-Wolfram | MoW505 | 0,0% W |
(1) ist es eine reine unverschmutzte Oberflächenbehandlungstechnologie;
(2) benötigt es nicht thermische Aktivierungs- und Temperaturumwelt, also ändert es nicht die Gesamtausmasse und das Oberflächenende des Werkstückes;
(3) ist Ionenimplantationsschicht eine neue Deckschicht, die durch eine Reihe körperliche und chemische Interaktionen zwischen Ionenstrahl und Substratoberfläche gebildet wird, und es gibt kein Schalenproblem zwischen ihm und Substrat;
(4) dort ist kein Bedarf an der maschinellen Bearbeitung und an der Wärmebehandlung nach Ionenimplantation.
In der Halbleitertechnik hat Ionenimplantation Hochpräzisionsdosiseinheitlichkeit und -wiederholbarkeit. Sie kann ideale lackierende Konzentration und Integration erreichen, die Integrations-, Geschwindigkeits-, Ertrag- und Nutzungsdauer des Stromkreises erheblich zu verbessern und verringert die Kosten- und Leistungsaufnahme. Dieses ist zu chemischem Bedampfen unterschiedlich.
Um ideale Parameter, wie Dicke und Dichte zu erhalten, muss chemisches Bedampfen die Ausrüstung justieren, die Parameter, wie Temperatur und Luftmenge einstellt, die ein komplexer Prozess ist.
Zusätzlich zur Halbleiterproduktionsindustrie mit der schnellen Entwicklung der industriellen Steuerautomatisierung, ist- Ionenimplantationstechnologie auch in der Verbesserung von Metallen, von Keramik, von Glas, von Zusammensetzungen, von Polymeren, von Mineralien und von Betriebssamen weitverbreitet.
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