Hohe reine Molybdän-Produkt-Einpflanzung Ion Parts In Semiconductor Industry

Produkt-Beschreibung

Hoch-reine Moly-Einpflanzung Ion Parts In Semiconductor Industry

Moly-Einpflanzung Ion Parts sind eine Ionenstrahlntechnologie, die die Atome der Elemente in Ionen ionisiert, beschleunigt sie an einer Spannung von zehn zu den Hunderten von KV und einpflanzt sie dann in das Werkstückmaterial, das in die Vakuumzielkammer gelegt wird, nachdem sie hohe Geschwindigkeit erhalten hat. Oberfläche.

Nach Ionenimplantation ändern die Systemtest-, chemischen und mechanischeneigenschaften der Materialoberfläche erheblich. Die ununterbrochene Verschleißfestigkeit der Metalloberfläche kann 2 bis 3 Größenordnungen der Anfangseinspritzungstiefe erreichen.

SPEZIFIKATION U. CHEMISCHE ZUSAMMENSETZUNGEN (NOMINALS)

ANWENDUNGEN von Moly-Einpflanzung Ion Parts

• Präzisionsformen in der Halbleiterindustrie, Formen in der Dosenindustrie stempelnd und stempelnd können das Berufsleben dieser wertvollen und Präzisionsformen erheblich verbessern;
• Kopplungskomponenten der Präzisionsbewegung, wie Ständer und Rotor der Luftextraktionspumpe, Nocken und Klemme des Gyroskops, des Kolbens, des Lagers, des Gangs, der Turbinenturbulenzstange, des etc., können den Reibungskoeffizienten groß verringern, Verschleißfestigkeits- und Korrosionsbeständigkeit verbessern und dehnen die Nutzungsdauer bis zu mehr als 100mal aus;
• Heiße Verdrängung und Spritzen können Energieverbrauch um ungefähr 20% verringern und Nutzungsdauer bis zum ungefähr 10mal ausdehnen;

Moly Ion Implantation Parts Picture:

Vorteile von Moly-Einpflanzungs-Ion Parts-Technologie:

(1) ist es eine reine unverschmutzte Oberflächenbehandlungstechnologie;

(2) benötigt es nicht thermische Aktivierungs- und Temperaturumwelt, also ändert es nicht die Gesamtausmasse und das Oberflächenende des Werkstückes;

(3) ist Ionenimplantationsschicht eine neue Deckschicht, die durch eine Reihe körperliche und chemische Interaktionen zwischen Ionenstrahl und Substratoberfläche gebildet wird, und es gibt kein Schalenproblem zwischen ihm und Substrat;

(4) dort ist kein Bedarf an der maschinellen Bearbeitung und an der Wärmebehandlung nach Ionenimplantation.