Wolfram-und Molybdän-Produkte Ion Implantation Source

Produkt-Beschreibung

Ion Implantation Source Of Tungsten- und Molybdän-Teile

Die Ion Implantation Source Of Tungsten- und Molybdän-Teile ist ein wichtiger Prozess in der Produktion von Halbleitern. Implanter-Systeme lackieren Oblaten mit Fremdatomen, um Materialeigenschaften wie Leitfähigkeit oder Kristallstruktur zu ändern. Der Strahlengang ist die Mitte eines implanter Systems. Hier werden die Ionen auf die Oblate bei sehr hohen Geschwindigkeiten erzeugt, konzentriert, beschleunigt groß und gerichtet.

Unsere Elemente und Ersatzteile, die von den refraktären Metallen gemacht werden, helfen, zu garantieren, dass dieser Prozess so leistungsfähig ist, genau, und frei von den Verunreinigungen, wie möglich.

Ion Implantation Source Of Tungsten- und Molybdän-Teil-Beschreibung

wir stellen hohe Qualität, Präzision maschinell bearbeiteten Molybdän- und Wolframkomponenten für die Verarbeitungsausrüstung zur verfügung, die in der Fertigung von Halbleitern, einschließlich Ion Implantation, MOCVD, CVD, PVD benutzt wird.
Unsere Herstellungserfahrung, Sachkenntnis und Wissen der Molybdän- und Wolframmaterialien, uns zu ermöglichen, Präzision zur Verfügung zu stellen bearbeiteten Komponenten maschinell, die Ihre Spezifikationen treffen.

Wir liefern Wolfram, Molybdän, Titan und moderne keramische Komponenten- und Ersatzteile für Ion-implanter in Soem-Qualität.
Unsere Hauptprodukte einschließlich Kathode, Bogenkammer, Repeller, Seite/Endplatte und Befestiger in der Ionenquelle von axcelis und im varian implanter arbeiteten bei der Produktionsverarbeitung von 12" und von 16" Oblate.

Die Wolframmolybdänbogenkammer von hohem Reinheitsgrad ist die grundlegende Garantie für Halbleiterchips. Die leistungsstarken Ionenquellwolfram- und -molybdänteile verringern groß die Frequenz der Maschinenwartung und stellen die Produktionskapazität des Kunden sicher, die die beste Wahl für Kunden ist.

Ion Implantation Source Of Tungsten- und Molybdän-Teil-Bild:

Spezifikationen des Molybdäns Ion Implantation Components